威尼斯手机娱乐官网 > 农业 > 人民日报,发展宽带成为国家战略

原标题:人民日报,发展宽带成为国家战略

浏览次数:69 时间:2019-10-12

2015年城市光纤到楼入户 2020年宽带网络全面覆盖城乡 发展宽带成为国家战略(政策解读)

  核心阅读   从现在至年底加强光纤网络和3G网络建设,提高宽带网络接入速率,改善和提升用户上网体验。
  2014年—2015年在继续推进宽带网络提速的同时,加快扩大宽带网络覆盖范围和规模,深化应用普及。
  2016年—2020年推进宽带网络优化和技术演进升级,宽带网络服务质量、应用水平和宽带产业支撑能力达到世界先进水平。
               
  国务院17日发布的“宽带中国”战略及实施方案(以下简称方案)不仅提出了2020年前两个阶段性的发展目标,还明确了加快宽带网络建设的技术路线、发展时间表、五项重点任务和七个方面的扶持措施。这意味着“宽带中国”计划从单一的部门行动正式上升为国家战略。
  到2020年3G用户普及率达85%   一部手机打电话、发短信,另一部3G手机刷微博、上微信;家里的有线宽带刚刚升级,又新购置了高速移动网关,外出时给笔记本电脑、iPad提供无线连接……为适应移动互联网新时代,家住北京的李先生今年将自己的上网装备好好整合了一番。然而,无论是有限宽带还是移动互联网,上网贵、网速慢等问题依然困扰着他。
  国务院近日印发的《关于促进信息消费扩大内需的若干意见》提出,2015年,我国信息消费规模将超3.2万亿元,年均增长20%以上。不过,作为信息消费的主要载体,我国宽带网络目前仍存在公共基础设施定位不明确、区域和城乡发展不平衡、应用服务不够丰富、技术原创能力不足、发展环境不完善等问题,制约着信息消费潜能的释放。
  “宽带中国”战略的实施将从根本上补齐上述“短板”。按照规划,到2015年,我国将基本实现城市光纤到楼入户、农村宽带进乡入村,固定宽带家庭普及率达到50%,第三代移动通信及其长期演进技术(3G/LTE)用户普及率达到32.5%,行政村通宽带比例达到95%,学校、图书馆、医院等公益机构基本实现宽带接入;城市和农村家庭宽带接入能力基本达到20兆比特每秒(Mbps)和4Mbps,部分发达城市达到100Mbps;宽带应用水平大幅提升,移动互联网广泛渗透;网络与信息安全保障能力明显增强。
  到2020年,宽带网络全面覆盖城乡,固定宽带家庭普及率达到70%,3G/LTE用户普及率达到85%,行政村通宽带比例超过98%;城市和农村家庭宽带接入能力分别达到50Mbps和12Mbps,发达城市部分家庭用户可达1吉比特每秒(Gbps);宽带应用深度融入生产生活,移动互联网全面普及;技术创新和产业竞争力达到国际先进水平,形成较为健全的网络与信息安全保障体系。
  为了实现上述阶段性目标,方案还明确了“宽带中国”战略三个阶段的发展时间表:从现在至2013年底是全面提速阶段,重点加强光纤网络和3G网络建设,提高宽带网络接入速率,改善和提升用户上网体验。2014年—2015年是推广普及阶段,重点在继续推进宽带网络提速的同时,加快扩大宽带网络覆盖范围和规模,深化应用普及。2016年—2020年是优化升级阶段,重点推进宽带网络优化和技术演进升级,宽带网络服务质量、应用水平和宽带产业支撑能力达到世界先进水平。
  多种技术路线并存,将成为拉动投资利器   “从全球范围看,宽带网络正推动新一轮信息化发展浪潮,众多国家纷纷将发展宽带网络作为战略部署的优先行动领域,作为抢占新时期国际经济、科技和产业竞争制高点的重要举措。”工信部有关负责人表示,此次“宽带中国”战略的出台,可看做是促进信息消费的配套政策,也是打造“中国经济升级版”的重要政策措施。
  方案明确提出,要按照高速接入、广泛覆盖、多种手段、因地制宜的思路,推进接入网建设。城市地区利用光纤到户、光纤到楼等技术方式进行接入网建设和改造,并结合3G/LTE与无线局域网技术,实现宽带网络无缝覆盖。农村地区因地制宜,灵活采取有线、无线等技术方式进行接入网建设。
  专家指出,多种技术手段并存,意味着在城市网络提速主要依赖“光纤入户”,但在农村尤其是偏远地区的农村、海岛等,光纤、铜线、同轴电缆、3G/LTE无线接入、微波、卫星等多种方式都有可能被采用。
  “宽带中国”战略的实施将成为拉动投资的利器。工信部电信研究院一项统计显示,从2009年3G业务牌照发放以来,全国3G累计投资达到5846.9亿元。3G基础设施规模显著扩大,有效拉动了智能终端产业快速发展,今年上半年3G手机出货量达到2.05亿部,比上年同期增长86%。
  宽带基础设施投资,同样带动了互联网及数据通信投资和传输投资的增长。工信部统计显示,2012年我国基础电信运营商宽带投资为3700亿元,加上互联网企业的投入,超过5000亿元。今年上半年,互联网及数据通信投资和传输投资分别完成224.1亿元和361.1亿元,同比增长43.8%和9.5%,在全部投资中占比分别达到17.3%和27.9%,比去年同期提高了6.8和5.6个百分点。(记者 王政)  

我科学家研成世界首个半浮栅晶体管 CPU可以更快更省电

    由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管(SFGT)研究论文,近日刊登于《科学》杂志,这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。作为微电子领域的重大原始创新,该成果将有助于我国掌握集成电路的关键技术,从而在国际芯片设计与制造领域获得更大的核心竞争力。
    晶体管是集成电路的基础器件。过去几十年工艺的进步让晶体管的尺寸不断缩小,越来越接近其物理极限,集成度的增加使芯片功耗密度太大而面临散热困难。因此,各国科学家和业界一直尝试在材料和电路设计方面有所突破,同时积极寻找基于新结构和新原理的晶体管,突破现有的技术瓶颈。张卫团队将隧穿场效应晶体管和浮栅晶体管的两种原理相结合,构建成了一种名为“半浮栅”的新型基础器件,它具有结构巧、性能高、功耗低的特点,可以广泛应用在CPU缓存、内存和图像传感器等领域,使产品性能有革命性的提高。
    据悉,目前,这些领域的核心专利基本上都是被美光、三星、英特尔、索尼等国外公司控制,我国少有具有自主知识产权且可应用的产品。半浮栅晶体管可与现有主流集成电路制造工艺兼容,具有很好的产业化前景,潜在应用市场规模达到300亿美元以上。目前该课题组针对这个器件的优化和电路设计工作已经开始。它将有助于我国掌握集成电路的核心器件技术,是我国在新型微电子器件技术研发上的一个里程碑。
    如何让未来的电脑、手机、数码相机等电子产品乃至卫星通讯的速度更快、功能更强、功耗更小?这一切都离不开集成电路芯片的核心作用。小小芯片可以搏动整个电子行业的“大动脉”。
    8月9日出版的最新一期《科学》杂志上,中国科学家的半浮栅晶体管(SFGT)研发成果引起世界关注,因为它有望让电子芯片的性能实现突破性提升。这篇由复旦大学微电子学院张卫教授课题组发表的最新科研论文,也是我国在该学术期刊上发表的首篇微电子器件领域原创性成果。
    半导体加工面临物理极限,半浮栅晶体管提速节能,或突破瓶颈
    金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中最基本的器件,工艺的进步让MOSFET的尺寸不断缩小,其功率密度也一直在升高。低功率的隧穿场效应晶体管(TFET)被认为是该器件发展的一大未来技术走向。而我们常用的U盘等闪存芯片则采用了另一种称为浮栅晶体管的器件,它在写入和擦除时需要较高的操作电压(接近20伏)和较长的时间(微秒级)。据专家介绍,随着器件尺寸越来越接近其物理极限,基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。
    张卫科研团队的科学家们尝试把一个TFET和浮栅器件结合起来,构成了一种全新的“半浮栅”结构的器件,称为半浮栅晶体管,它具有结构巧、性能高的特点,为芯片低功耗的实现创造了条件。
    “硅基TFET使用了硅体内的量子隧穿效应,而传统的浮栅晶体管的擦写操作则是使电子隧穿过绝缘介质。”论文第一作者王鹏飞教授解释说。“隧穿”是量子世界的常见现象,可以“魔术般”地通过固体,好像拥有穿墙术。“隧穿”势垒越低,相当于“墙”就越薄,器件隧穿所需电压也就越低。把TFET和浮栅相结合,TFET为浮栅充放电、完成“数据擦写”的操作,“半浮栅”则实现“数据存放和读出”的功能。张卫介绍说,传统浮栅晶体管是将电子隧穿过高势垒(禁带宽度接近8.9eV)的二氧化硅绝缘介质,而半浮栅晶体管的隧穿发生在禁带宽度仅1.1eV的硅材料内,隧穿势垒大为降低。这可以让半浮栅晶体管的数据擦写更加容易、迅速,整个过程都可以在低电压条件下完成,为实现芯片低功耗运行创造了条件。
    作为一种新型基础器件,半浮栅晶体管可应用于不同的集成电路。它可以取代一部分静态随机存储器(SRAM),提高高速处理器性能;也可以应用于动态随机存储器(DRAM)领域,提高计算机内存功能。由半浮栅晶体管构成的SRAM密度相比传统SRAM大约可提高10倍;它构成的DRAM无需电容器便可实现传统DRAM全部功能,不但成本大幅降低,且集成度更高,读写速度更快。
    半浮栅晶体管还可以应用于主动式图像传感器芯片(APS),所构成的新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上,且感光单元密度提高,使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到提升。
    与现有制造工艺兼容度高,更快产业化还需政府支持
    张卫领导的团队长期以来一直从事集成电路工艺和新型半导体器件的研发。团队研究骨干为了共同的研究兴趣和目标,从世界各地陆续加入复旦大学。该团队近5年来已有多项研究成果发表于《科学》及本领域顶级国际期刊上,获得中国及美国专利授权30余项。
    张卫介绍说,目前DRAM、SRAM和图像传感器技术的核心专利基本上都是被美光、三星、英特尔、索尼等国外公司控制。“在这些领域,中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。”据预估,半浮栅晶体管作为一种基础电子器件,在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模达到300亿美元以上。
    不同于实验室研究的基于碳纳米管、石墨烯等新材料的晶体管,半浮栅晶体管是一种基于标准硅CMOS工艺的微电子器件,兼容现有主流硅集成电路制造工艺,具有很好的产业化基础。张卫教授表示,半浮栅晶体管并不需要对现有集成电路制造工艺进行很大的改动。不过,新型器件还需要大量工作才能逐步实现产业化。
    张卫表示,我国在集成电路技术上跟国际领先水平还有不小距离,产业界主要依靠引进和吸收国外成熟的技术,而缺乏核心技术。国外集成电路厂商常会以高价将落后一到两代的技术淘汰给中国企业。半浮栅晶体管的发明及产业化推广,实际上是通过新型基础器件的技术优势来弥补我国集成电路企业在核心技术上的差距。如果将新器件技术转化为生产力,中国集成电路企业可以在某些应用领域大幅减少对国外技术的依赖,并形成具有极强竞争力的自主核心技术。这需要政府和相关部门的大力支持。另外,实现半浮栅晶体管技术的产业化推广,也需要加强产学研的紧密合作。
    拥有核心专利并不等于拥有未来的广阔市场。尽管半浮栅晶体管应用市场广阔,但前提是核心专利的优化布局。“我们的布局要做得更快一点,避免被国外的大公司很快地赶超。”张卫不无担忧。他们未来的研究工作主要集中于器件性能的优化和进一步提升等。(记者 姜泓冰)

  中国国家互联网信息办公室专职副主任彭波13日在北京表示,中国已进入移动互联网时代,移动互联网推动中国社会深刻变革。
  彭波当日出席2013年中国互联网大会时说,中国手机网民已经有4.64亿,占网民数近八成。移动互联网改变了社会生活的各个方面,包括信息传播、生产形态、商业交易、娱乐等,中国已经进入移动互联网时代。
  对于时下最流行的移动社交平台微信和微博,彭波说,“移动和社交深度融合,特别是微博、微信等社交网络的普及应用,塑造了新型关系,任何人之间的关系从来没有像今天这样紧密”。
  目前微信用户已经超过4亿,新浪微博和腾讯微博注册账户均超过5亿。“移动互联网的社会动员组织能力大大增强,信息传播速度大大加快,对于加强和创新社会管理提出了更高的要求”,彭波说。
  在信息传播方面,彭波认为,移动互联网快速发展,信息传播方式由展示向推送、分享转变,使网络舆论传播主体日趋多元,舆论表达方式更为多样,舆论传播更为开放,主流媒体在新的传播格局和舆论生态中面临新的挑战。
  彭波说,“移动终端与用户身份关联性更强,发布的信息均可溯源,为社会网络管理创造了条件,有利于抑制违法信息的传播”。(记者 刘育英)  

本文由威尼斯手机娱乐官网发布于农业,转载请注明出处:人民日报,发展宽带成为国家战略

关键词: www.0727.com

上一篇:海南省大力发展林下经济促进农民增收的实施意

下一篇:没有了